10月29號，長鑫存儲技術(shù)有限公司12英寸存儲器晶圓制造基地二期項目第三方檢測進行公開招標，經(jīng)過與合肥市多家檢測單位方案競標，二站材料所成功中標。

長鑫存儲技術(shù)有限公司12英寸存儲器晶圓制造基地二期項目位于合肥市經(jīng)開區(qū)空港產(chǎn)業(yè)園啟德路與團肥路交口西南地塊二期地塊內(nèi)，項目總建筑面積約 62 萬平米，其中包含五間廠房（FAB2-1、FAB2-2、WWT、CUB、PMD）、市政道排CCYV及其他配套設施。項目建成投產(chǎn)后，將取得世界DRAM市場約9%份額，也有效地填補國內(nèi)DRAM市場的空白，躋身全球DRAM主要廠商之列，成為絕對的國內(nèi)半導體巨頭，合肥將跨入世界級存儲器制造重鎮(zhèn)的行列。

本次投標時間緊、任務重，自得到招標信息后，站領導十分重視，針對項目精心布置投標工作，項目成員認真研究招標文件，領會招標意圖，制定了周密的工作計劃，事前準備并精心組織實施，高效率高質(zhì)量編制投標文件。最終，憑借優(yōu)秀的檢測方案和合理的報價，贏得了招標單位的肯定，順利中標。