10月29號，長鑫存儲技術(shù)有限公司12英寸存儲器晶圓制造基地二期項目第三方檢測進(jìn)行公開招標(biāo)，經(jīng)過與合肥市多家檢測單位方案競標(biāo)，二站材料所成功中標(biāo)。

長鑫存儲技術(shù)有限公司12英寸存儲器晶圓制造基地二期項目位于合肥市經(jīng)開區(qū)空港產(chǎn)業(yè)園啟德路與團(tuán)肥路交口西南地塊二期地塊內(nèi)，項目總建筑面積約 62 萬平米，其中包含五間廠房（FAB2-1、FAB2-2、WWT、CUB、PMD）、市政道排CCYV及其他配套設(shè)施。項目建成投產(chǎn)后，將取得世界DRAM市場約9%份額，也有效地填補(bǔ)國內(nèi)DRAM市場的空白，躋身全球DRAM主要廠商之列，成為絕對的國內(nèi)半導(dǎo)體巨頭，合肥將跨入世界級存儲器制造重鎮(zhèn)的行列。

本次投標(biāo)時間緊、任務(wù)重，自得到招標(biāo)信息后，站領(lǐng)導(dǎo)十分重視，針對項目精心布置投標(biāo)工作，項目成員認(rèn)真研究招標(biāo)文件，領(lǐng)會招標(biāo)意圖，制定了周密的工作計劃，事前準(zhǔn)備并精心組織實施，高效率高質(zhì)量編制投標(biāo)文件。最終，憑借優(yōu)秀的檢測方案和合理的報價，贏得了招標(biāo)單位的肯定，順利中標(biāo)。